常见LED芯片的特点:
一、MB芯片
定义：METAL BONDING（金属粘着）芯片；该芯片属于UEC的专利产品。
特点: 1.采用高散热系数的材料---SI 作为衬底、散热容易。
2.通过金属层来接合（WAFER BONDING）磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。
3.导电的SI衬底取代GAAS衬底，具备良好的热传导能力（导热系数相差3-4倍），更适应于高驱动电流领域。
4.底部金属反射层、有利于光度的提升及散热
5.尺寸可加大、应用于HIGH POWER领域、ER：42MIL MB
二、GB芯片
定义：GLUE BONDING（粘着结合）芯片；该芯片属于UEC的专利产品
特点：1.透明的蓝宝石衬底取代吸光的GAAS衬底、其出光功率是传统AS（ABSORBABLE STRUCTURE）芯片的2倍以上、蓝宝石衬底类似 TS芯片的GAP衬底。
2.芯片四面发光、具有出色的PATTERN
3.亮度方面、其整体亮度已超过TS芯片的水准（8.6mil）
4.双电极结构、其耐高温电流方面要稍差与TS单电极芯片
三、TS芯片
定义:transparent structure（透明衬底）芯片、该芯片属于HP的专利产品。
特点: 1.芯片工艺制作复杂、远高于AS LED
2.信赖性卓越
3.透明的GAP衬底、不吸收光、亮度高
四、AS芯片
定义：ABSORBABLE STRUCTURE（吸收衬底）芯片
特点: 1.四元芯片、采用MOVFE工艺制备、亮度项对于常规芯片要亮
2.信赖性优良
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